2013年SSD技术及产品回顾
虽然相对于传统机械硬盘来说，纯电子传输设计的固态硬盘已拥有飞一般的速度，但在固态硬盘的世界里，没有快，只有更快。在2013年，固态硬盘保持了稳健的前进步伐，各类新主控、新闪存以及新技术的问世让它获得了再次提速。
在2013年固态硬盘领域仍保持着高速的发展，首先，在对固态硬盘传输速度影响大的主控芯片方面，各家厂商都带来了新一代主控产品。如OCZ发布了自己的第一款主控芯片——Barefoot 3、三星带来了MDX主控芯片，Marvell则凭借着88SS9187继续乘风破浪。相对于以往产品，新一代主控均采用双核心或多核心设计，并提升了工作频率，普遍达到400MHz，这使得它们具备更强的运算性能与多任务处理能力,随机读写性能高已经达到100K IOPS。
同时，今年固态硬盘所用闪存颗粒普遍从25 nm ONFIMLC、24nm Toggle DDR分别升级为其20nm、19nm产品。新工艺的采用不仅可大大降低厂商的生产成本，减小封装尺寸，更随着对ONFI 3.0、Toggle DDR 2.0标准的支持，令接口带宽由133MT/s～200MT/s增涨到400MT/s，从而提升了闪存颗粒的性能。此外，借助HKMG这类可减小栅极漏电量、栅极电容技术的使用，线宽的缩小并未明显影响19、20nm颗粒的使用寿命。这些颗粒的标称P/E可编程擦写次数仍在3000次左右。
通过对闪存与主控芯片的技术研发，今年普通固态硬盘中的高性能产品已经实现了读写速度双破500MB/s的性能。然而这也带来了一个问题，固态硬盘的速度已接近SATA 6Gb/s接口的极限。因此在2013年8月串行ATA国际组织(SATA-IO)正式通过了基于PCI-E通道设计的SATA Express接口标准，它可以提供高达800MB/s～1.6GB/s的传输带宽。根据新消息显示，该接口预计将在2015年左右得到广泛使用，届时固态硬盘将迎来一次更为宏大的提速。
闪迪至尊极速固态硬盘
在2013年固态硬盘领域里一个比较明显的趋势就是各厂商加强了技术的研发力度，如闪迪。为了让消费者获得更高的性能，闪迪在至尊极速固态硬盘上，整合了名为nCache的缓存技术。nCache相当于闪迪为固态硬盘多加入了一个非易失性缓存空间。该空间由部分MLC颗粒组成，却工作在模拟SLC工作模式下，从而具备与SLC颗粒相当的写入性能与耐用度。nCache主要负责对随机数据进行缓存，在高队列深度下，闪迪至尊极速固态硬盘拥有超过300MB/s的随机4KB写入速度。
同时，闪迪还为至尊极速固态硬盘研发了更加先进的闪存。与很多闪存相比，虽然其主要技术规格同为19nm、Toggle DDR 2.0，但ABL架构的采用使得固态硬盘所用的闪迪闪存具备更好的性能。在ABL架构的MLC闪存里，其每根位线都连接了检测放大器，可以单双页同时传输数据，能够大幅提升闪存的写入性能。同时闪存间的干扰也得到了有效降低，提升了工作寿命与稳定性。因此，正是基于自身技术研发的努力，让闪迪这个在固态硬盘中还算新军的品牌能够迅速推出性能强劲的至尊极速固态硬盘，并在我们的横向测试中位居前列，成为2013年固态硬盘中的经典产品。
